GHS-C 传感器在 Radboud 奈梅亨大学的高场磁实验室 (HFML) 进行测试，支持在高达 30 T 的磁场和低温（低至 1.5 K）下运行。

这些传感器提供了以前在这些条件下无法实现的准确度，在整个测量范围内保持明显小于 1% 的非线性误差。

GHS-C 设备的变革性磁场测量能力归功于石墨烯传感器元件。

石墨烯固有的高电子迁移率直接转化为高灵敏度能力，在整个磁场范围内保持这种能力——使这些设备的校准变得更加简单。

石墨烯的二维特性也意味着 GHS-C 传感器提供高质量、可重复和准确的数据，没有滞后和对面内杂散场的免疫力。

这是超越传统霍尔传感器的一步，传统霍尔传感器已表现出不对称性，可根据场方向产生不同的测量结果。

与与非石墨烯霍尔传感器相关的 μW 或 mWs 相比，GHS-C 系列的另一个优势是它们的功耗非常低，导致功耗在 <nW 范围内。

合适的应用示例包括低温量子计算、下一代 MRI 系统中的高场磁体监测、聚变能量场控制、粒子加速器和其他科学和医疗仪器。

这些传感器还可直接用于基础物理实验，例如量子物理研究、超导和自旋电子学。

图片：Paragraf – 图像显示（右侧）用于测试 GHS-C 的 37 T 磁铁，其中插入了低温恒温器和可变温度以及测量电子设备和气体处理系统（左侧）